碳化硅MOSFET浪涌性能测试新方法，惠州市广大碳基半导体再添成果 惠州市广大碳基半导体获碳化硅MOSFET浪涌性能测试方法专利

金融界于2025年4月5日发布的消息，惠州市广大碳基半导体有限公司申请了一项“一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法”的专利，介绍了该专利的具体内容、申请情况，还对该公司的基本信息进行了介绍。

据金融界2025年4月5日报道，国家知识产权局的相关信息表明，惠州市广大碳基半导体有限公司提交了一项极具价值的专利申请。该专利名为“一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法”，其公开号为CN 119758015 A，申请日期为2025年1月。

从专利摘要中我们可以了解到，此申请聚焦于半导体器件测试技术领域，具体而言是关于一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法。该方法有着一套严谨且科学的流程：首先，会在不同浪涌电流峰值的条件下，对碳化硅MOSFET开展浪涌性能测试，进而获取各源漏电压向量。接着，提取源漏电压向量的各IMF模态分量，详细分析各IMF模态分量的无规则复杂度。然后，依据各IMF模态分量内的突变点来确定时域干扰度，同时通过各IMF模态分量在频域中的特征得到频域干扰度，进一步计算各IMF模态分量的时频干扰度。之后，筛选源漏电压向量中的目标分量，利用小波融合算法进行波形重构。最后，通过对各源漏电压重构波形的对比，准确得出碳化硅MOSFET的最大浪涌电流。该方法的一大显著优势在于，能够有效提高碳化硅MOSFET的浪涌性能测试结果的准确性。

天眼查提供的资料显示，惠州市广大碳基半导体有限公司成立于2022年，公司坐落于惠州市。这是一家主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。其企业注册资本为1000万人民币，实缴资本达到300万人民币。通过天眼查的大数据分析，我们还能了解到该公司的一些业务动态。它参与过1次招投标项目，在财产线索方面，有1条商标信息和2条专利信息。此外，企业还拥有6个行政许可。

文章围绕惠州市广大碳基半导体有限公司展开，先是介绍了其在2025年1月申请的“一种碳化硅MOSFET的浪涌性能测试方法”专利情况，阐述了该专利的具体内容及优势，随后介绍了该公司的基本信息和业务动态，让读者对该公司有了较为全面的认识。