武汉新芯集成电路股份有限公司申请的一项半导体器件制造相关专利，介绍了专利的主要内容，还提及了该公司的基本情况和相关经营数据。
据金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局信息披露，武汉新芯集成电路股份有限公司申请了一项名为“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”的专利。其公开号为CN 119698058 A，申请日期为2024年12月。
从专利摘要来看，此项申请公开了一种独特的半导体器件制造方法及对应的半导体器件。具体步骤如下：
首先，提供半导体基体。该半导体基体包含衬底、氧化层和伪栅材料层，并且在衬底中已经形成了隔离结构。
接着，形成凹槽。在凹槽中构建侧墙结构，这个凹槽位于隔离结构所在的区域。然后利用凹槽中的侧墙结构将伪栅材料层分割开来。
之后，形成第一栅极结构。移除侧墙结构一侧的伪栅材料层以及侧墙结构，进而形成第一栅极结构。
最后，形成第二栅极结构。移除残留的伪栅材料层，完成第二栅极结构的形成。
简单来说，在形成第一栅极结构和第二栅极结构之前，该申请采用侧墙结构将伪栅材料层隔开，然后依次移除一侧的伪栅来形成第一栅极结构，再移除另一侧的伪栅并形成第二栅极结构。这种方法能够有效提高半导体器件的良率，从而提升半导体器件的整体性能。
通过天眼查资料可知，武汉新芯集成电路股份有限公司成立于2006年，公司位于武汉市，主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业。企业的注册资本为847900.6412万人民币，实缴资本达578214.4726万人民币。
天眼查大数据分析显示，武汉新芯集成电路股份有限公司对外投资了2家企业，参与招投标项目多达209次。在财产线索方面，拥有商标信息67条，专利信息高达1737条，此外企业还获得了105个行政许可。
本文介绍了武汉新芯集成电路股份有限公司申请的“一种半导体器件的制造方法及半导体器件”专利，阐述了专利的具体制造步骤和优势，还介绍了该公司的基本情况和经营成果。该专利的出现可能会为半导体器件制造行业带来新的发展，提高半导体器件的性能和良率。本文总结
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