2024年申请专利，合肥中恒微助力SiC芯片可靠性升级，合肥中恒微半导体新突破：无压银烧结工艺提高SiC芯片可靠性

合肥中恒微半导体有限公司在2024年12月申请了一项关于提高SiC芯片可靠性的无压银烧结工艺的专利，介绍了该专利的相关步骤和优势，还展示了该公司的基本信息。

据金融界2025年3月29日消息，国家知识产权局披露了一则重要信息。合肥中恒微半导体有限公司申请了一项名为“一种用于提高SiC芯片可靠性的无压银烧结工艺”的专利，其公开号为CN 119694905 A，申请日期为2024年12月。

从专利摘要中我们可以了解到，这项发明属于半导体芯片技术领域。它所涉及的无压银烧结工艺包含以下关键步骤：首先是粉末加热环节，将纳米银颗粒进行加热，当达到有机层热分解温度时，纳米银颗粒之间会形成烧结颈，进而扩散致密。在这个过程中，纳米银浆中的银原子会通过扩散迁移到烧结颈区域。接着是冷却步骤，之后把SiC芯片放入其中。最后形成烧结层，将贴合好的SiC芯片组件置于高温环境下，使金属颗粒熔融并相互扩散。

这种用于提高SiC芯片可靠性的无压银烧结工艺具有显著优势。它采用了低温纳米银焊接技术，并且将SiC芯片烧结连接层成分设置为包括金、银和铜中的一种或多种。这样一来，能够使得烧结接头内部减少有机包覆层残留物，增加烧结的充分性，从而进一步提高SiC芯片的可靠性强度。

通过天眼查资料可知，合肥中恒微半导体有限公司成立于2018年，坐落在合肥市，是一家主要从事科技推广和应用服务业的企业。该企业注册资本为3620.6745万人民币，实缴资本为184.21万人民币。经过天眼查大数据分析，合肥中恒微半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目5次。在财产线索方面，有商标信息5条，专利信息54条，此外企业还拥有行政许可6个。

本文介绍了合肥中恒微半导体有限公司申请的用于提高SiC芯片可靠性的无压银烧结工艺专利，阐述了该专利的步骤及优势，同时展示了公司的基本情况，体现了该公司在半导体领域的研发实力和创新成果。