2023 年申请，浙江创芯半导体专利或带来新突破 聚焦！浙江创芯“半导体结构”专利亮点多

浙江创芯集成电路有限公司在 2023 年 12 月申请的一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，阐述了该专利的摘要内容，还介绍了该公司的基本情况。

据金融界 2025 年 3 月 19 日消息，国家知识产权局披露了一则重要信息。浙江创芯集成电路有限公司申请了一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，其公开号为 CN 119626904 A，申请日期可追溯到 2023 年 12 月。

专利摘要中详细显示，本申请实施例所涉及的是一种半导体结构及其形成方法。具体而言，该半导体结构的形成方法包含以下步骤：首先，提供衬底；接着，在衬底上依次形成介质层和导电层；之后，在导电层上形成图形化的目标掩膜层，需要注意的是，目标掩膜层的边缘至少要暴露部分导电层的边缘；再基于目标掩膜层，去除目标掩膜层暴露导电层的区域；最后，在衬底形成有导电层的一侧形成钝化层。值得一提的是，本申请实施例所提供的半导体结构的形成方法所形成的半导体结构，能够有效提高器件的良率。

通过天眼查资料可知，浙江创芯集成电路有限公司成立于 2020 年，公司坐落于杭州市。这是一家主要从事计算机、通信和其他电子设备制造业的企业。企业的注册资本高达 182000 万人民币，实缴资本也达到了 134000 万人民币。经过天眼查大数据分析，浙江创芯集成电路有限公司对外投资了 1 家企业，积极参与招投标项目达 245 次。在财产线索方面，拥有商标信息 14 条，专利信息 260 条，此外企业还拥有 4 个行政许可。

本文介绍了浙江创芯集成电路有限公司申请的“一种半导体结构及其形成方法”专利，说明了该专利能提高器件良率，同时介绍了公司的基本情况，展现了该公司在技术研发和企业运营方面的一定实力。