增强型AlGaN/GaN HEMT器件专利花落浙江集迈科，应用前景可期

浙江集迈科微电子有限公司申请的“增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法”专利相关情况，包括专利公开号、申请日期，还介绍了该专利的技术优势以及公司的基本信息。

据金融界2025年4月2日消息，来自国家知识产权局的信息表明，浙江集迈科微电子有限公司有了一项重要成果。该公司申请的一项名为“增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法”的专利，已经公布了公开号，为CN 119743971 A，而其申请日期可追溯到2023年9月。

从专利摘要里我们可以了解到，这项发明带来了一种增强型AlGaN/GaN HEMT器件以及相应的制备方法。它有着显著的优势，首先能够获得较高的阈值电压。更为突出的是，它可以通过改变InGaN线性渐变栅层中的In组分，对阈值电压进行精确的调控。这意味着什么呢？这意味着可以针对HEMT器件不同的应用场景，定制出具有不同阈值电压的HEMT器件。不仅如此，通过在栅下引入P – GaN背势垒层，还能进一步提高HEMT器件的阈值电压以及其耐压能力，从而大大扩展了HEMT器件的使用场景。

我们再看看这家申请专利的公司。根据天眼查资料显示，浙江集迈科微电子有限公司成立于2018年，它位于美丽的湖州市。这是一家以从事专用设备制造业为主的企业。公司的注册资本为7536.0034万人民币，实缴资本达到了5876.7144万人民币。通过天眼查的大数据分析，我们还能发现，这家公司参与招投标项目多达9次。在财产线索方面，有商标信息7条，专利信息更是多达185条。此外，企业还拥有11个行政许可。

浙江集迈科微电子有限公司申请的“增强型AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法”专利，阐述了该专利在提高阈值电压、精确调控及扩展使用场景等方面的优势，同时介绍了公司的基本情况和业务成果。整体展现了该公司在技术创新和企业运营方面的积极表现。